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地方法規(guī)

反應堆外易裂變材料的核臨界安全次臨界中子增殖就地測量安全規(guī)定

更新時間:2012-08-08

GB 15146.7-94反應堆外易裂變材料的核臨界安全次臨界中子增殖就地測量安全規(guī)定

1主題內(nèi)容與適用規(guī)范

本標準規(guī)定了次臨界易裂變系統(tǒng)中子增殖就地測量的安全要求和實施規(guī)則。

本標準適用于次臨界易裂變系統(tǒng)中子增殖的就地測量;次臨界易裂變系統(tǒng)其他反應性指標的就地測量也應參照使用。

2術語

2.1易裂變系統(tǒng)(系統(tǒng))

由易裂變材料和其他能影響反應性的材料所組成的系統(tǒng)。

2.2反應性

表征易裂變系統(tǒng)偏離臨界狀態(tài)程度的個量,定量地表示為(keff—l)/keff,這里keff是系統(tǒng)的有效增殖系數(shù)。臨界系統(tǒng)的反應性為零;對于次臨界系統(tǒng),其反應性的值是負的,表示系統(tǒng)次臨界的程度。

2.3中子增殖(增殖)

本標準中特指對易裂變系統(tǒng)的反應性變化敏感并且通常以無裂變反應發(fā)生時的計數(shù)率歸(或修正)的中子計數(shù)率。

2.4反應性指標

種能夠表征系統(tǒng)的反應性大小或據(jù)以可導出系統(tǒng)的反應性的參數(shù)(如瞬發(fā)中子衰減常數(shù))。

2.5反應性添加

對易裂變系統(tǒng)所做的種改變,此改變使系統(tǒng)的反應性增加某正量。

2.6就地實驗(就地檢驗)

在不存在為工作人員針對可能發(fā)生的核臨界事故后果而設置的實體防護的條件下,對次臨界易裂變系統(tǒng)的中于增殖或其他反應性指標進行測量的過程;此類實驗通常是在工業(yè)現(xiàn)場進行的,目的在于檢驗或證實實際易裂變系統(tǒng)的安全裕度是否適當,或改進對系統(tǒng)安全裕度的估計。

3管理要求

3.1對于每項新的就地實驗,必須按照規(guī)定的程序編寫、審查和批準其書面實施規(guī)程;實施規(guī)程的編寫入必須是名在完成次臨界或臨界實驗方面有經(jīng)驗的實驗工作者,實施規(guī)程的審查則必須由另位有經(jīng)驗的實驗工作者負責。

3.2進行每項就地實驗時,必須指定名在完成次臨界或臨界實驗方面有經(jīng)驗的實驗工作者擔任安全負責人;對于新的就地實驗,其安全負責人般應為該實驗實施規(guī)程的編寫人.

3.3必須保證所有參加實驗的人員熟悉、理解和遵循該實施的實施規(guī)程。

3.4實驗進行過程中,必須至少有三名工作人員在場;這三名工作人員中必須包括該實驗的安全負責人。

3.5必須作好實驗條件和過程記錄;要特別重視記錄與安全有關的事項。3.6必須備有適當?shù)膽背绦蚝洼椛浔O(jiān)測儀表。

4設備準則

4.1實驗開始前,必須檢驗易裂變系統(tǒng)所有設備的結構完整性,確認其符合預期要求。

4.2實驗開始前,必須檢驗所有中子及γ探測裝置、計數(shù)裝置、報警系統(tǒng)和其他所需儀表,確認它們的功能正常。

4.3必須備有適當?shù)闹凶釉?,實驗時用以產(chǎn)生足夠明顯的中子增殖指示。中子源可以是系統(tǒng)固有的,如自發(fā)裂變中子源,也可以是外加的,如(a、n)反應中子源。

4.4必須至少有兩套立的中子探測與計數(shù)裝置,用以同時監(jiān)測所研究的易裂變系統(tǒng)內(nèi)中子水平的變化。

4.5必須有路中子計數(shù)裝置能夠持續(xù)給出正比于系統(tǒng)內(nèi)中子水平的清晰的音響信號。

5實施規(guī)則

5.1只要有名參加實驗的工作人員對某實驗操作或步驟的安全提出疑義,則必暫停實驗,直至疑義消除為止。

5.2若易裂變系統(tǒng)及其有關設備的性狀出現(xiàn)異常,或所測得的數(shù)據(jù)出現(xiàn)奇離,則在弄清其原因之前,不得進行可能導致反應性增加的任何操作。

5.3必須在書面實施規(guī)程申明文規(guī)定易裂變系統(tǒng)的反應性限值(通常規(guī)定系統(tǒng)的k#eff#≤0.90);應將此限值用中子增殖的某上限值表示,也可用估計的臨界質(zhì)量、臨界體積或臨界尺寸的某個份額來表示。預留次臨界裕量時,必須考慮測量的不確定度;同時還必須考慮工作人員或其他可移動物體可能造成的中子反射效應,以確保安全。

5.4實驗過程中,必須至少有兩名工作人員各自立地繪制中子增殖倒數(shù)曲線;所用的中子增殖數(shù)據(jù)必須是由兩套或更多套立的中子探測與計數(shù)系統(tǒng)所測得的。實驗測得的倒數(shù)曲線必須具有足夠多的點數(shù),以便給出有意義的外推結果。

5.5實驗過程中,每次添加的反應性的大小,必須根據(jù)中子增殖倒數(shù)曲線的外推結果來確定,般應不大于外推結果與系統(tǒng)現(xiàn)有反應性的差值的l/3,并且必須保證系統(tǒng)的總反應性不超過所規(guī)定的限值(見5.3條)。對中子增殖倒數(shù)曲線的解釋和對外推結果的利用應偏于保守,以保證安全。

5.6所有添加反應性的決定,必須由所指定的安全負責人(見3.I條)作出或同意。

5.7必須對反應性添加的速率加以控制;每次進行反應性添加操作之前,必須弄清已完成的反應性添加的效應,并且必須對本次反應性添加操作完成后系統(tǒng)的預期響應作出估計。

5.8不得同時采用兩種或多種方法添加反應性。

5.9只有在不影響中子增殖倒數(shù)曲線外推有效性的前提下,才允許變更反應性的添加方法。5.10必須考慮因料液不穩(wěn)定、空泡的形成與破裂、材料的密度加大、材料組分的意外轉(zhuǎn)移或其他因素等使系統(tǒng)反應性意外增加的可能性,并采取相應的預防措施。

5.11中子源和探測器的位置布置必須保證探測器所探測到的中子主要是由易裂變系統(tǒng)所產(chǎn)生的。

5.12如果要移動中子源或探測器的位置,或者要在兩者之間放置中子衰減材料,則必須在完成這種改變并測定了這種改變對中子計數(shù)串的影響之后,才能進行新的反應性添加操作。

5.13對多單元陣列的次臨界中子增殖進行測量時,不應采用改變陣列中單元之間間距的方法來改變系統(tǒng)的反應性;應對不同的單元間距分別進行實驗1),然后利用這些實驗的中子增殖倒數(shù)曲線所獲得的外推結果來估計單元間距對中子增殖的影響。

注:1)例如,分別相對于不同的單元距離,改變陣列中單元的個數(shù),進行相應中子增殖倒數(shù)曲線的測量。

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